NAND闪存研发领域竞争激烈 三星电子计划本月设立新研发中心

据国外媒体报道,当前全球最大的存储芯片制造商三星电子,计划在本月新设立一个研发中心,负责研发更先进的NAND闪存。

三星电子计划本月新设负责研发更先进NAND闪存的研发中心,是由韩国媒体率先开始报道的,他们是在报道三星电子的236层NAND闪存预计在今年开始生产时,提及此事的。

从韩国媒体的报道来看,三星电子设立研发更先进NAND闪存的研发中心,同竞争对手已研发出先进产品,NAND闪存研发领域竞争激烈有关。

韩国媒体在报道中就提到,SK海力士已宣布研发出了238层NAND闪存,预计明年上半年大规模量产;美光科技也已完成了232层NAND闪存的研发。未来要想在NAND闪存市场占有优势,势必就需要不断研发更先进的产品。

从研究机构的数据来看,三星电子目前在NAND闪存市场的份额,远高于其他厂商,就今年一季度而言,三星电子的份额高达35.3%,第二大厂商铠侠的份额为18.9%,SK海力士的份额为18%。

关键词: NAND闪存研发 竞争激烈 三星电子 设立新研发中心

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